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北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、设计、制造，是一家集真空薄膜新材料沉积设备、真空技术应用设备等相关设备及其工艺的研发、设计、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。
公司的研发中试孵化基地位于毗邻雄安新区的任丘经济技术开发区，距离未来的雄安高铁站约20公里，占地面积20000㎡，不仅建有包括机加工、电气、结构组装，调试等多个中试生产车间和办公楼以及其它辅助厂房，同时建有研发工艺、服务客户的开放实验室。公司还聘请了国内外真空行业资深的专家、教授作为本公司的技术顾问，确保真空设备产品高水平，始终保持较强的自主研发能力、先进的设计概念、领先的技术优势。
公司有从事真空技术及设备研发20多年的工程技术人员，与多所中科院所属研究所及北京大学、清华大学、北京科技大学、武汉工程大学等多所高校进行长期密切的技术合作。公司具有多项真空技术专利，并获得（SGS）ISO9001：2008国际质量体系认证证书和高新技术企业认证证书、北京市企业研发机构、以及其他相关认证证书。
公司主要研发设计生产蒸发镀膜机、磁控溅射镀膜机、多功能复合镀膜机、粉体镀膜设备、高真空应用炉、CVD金刚石设备、大型应用定制设备，研发设计与之配套的工艺技术。广泛应用于高等院校、科研院所的教学、科研。技术、产品及其服务已经覆盖全国的28个省市，有超过1000台设备在运行，而且远销澳大利亚、美国、土耳其、哈萨克斯坦等国，深受用户的好评。
一、产品概述
1、适用范围：适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。
2、产品优点及特点：设备采用热丝化学气相沉积技术，已应用于国内多家用热丝法生产金刚石的生产线上。该设备已生产出大尺寸片状多晶金刚石厚膜，填补了国内空白，并获得了非常可观的经济效益。该系列设备适合于工业化生产也非常适合于科研、教学和产品中试之用。
3、主要用途：用于生长毫米级金刚石厚膜、金刚石薄膜、类金刚石膜、氮化硅和氧化硅膜等。在切削刀具、钻头、丝锥等表面沉积纳米金刚石薄膜、微晶金刚石薄膜。也可制备掺硼金刚石电极、BBD电极、金刚石电极薄膜等。
二、技术参数
型号:HF600
真空腔室结构:立式前开门结构，后置抽气系统，双层水冷
真空腔室尺寸:Φ600×H500mm
基片台尺寸:Φ200mm
衬底温度:600~1100℃
电源:DC
控制方式:PC+PLC+触摸屏控制
占地面积:主机L1620×W1060×H1900mm
总功率:≥43KW
一、产品概述
1、适用：大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。
2、产品特点/用途：
►设备可溅射/蒸发两用；占地面积小，价格便宜，性能稳定，使用维护成本低；
►可用于制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等；
►镀膜示例：银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等；
►单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能。
二、技术参数
型号：JCP500
真空腔室结构：立式前开门结构，后置抽气系统
真空腔室尺寸：Φ500×H420mm
加热温度：室温～500℃
溅射方式：上下溅射可选
旋转基片台：Φ150mm
膜厚不均匀性：Φ100mm范围内≤±5.0%
溅射靶/蒸发电极：Φ3英寸磁控靶3支，兼容DC/MF/RF溅射
工艺气体：2~3路气体流量控制
控制方式：PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统
占地面积：(主机）L1900×W800×H1900mm
总功率：≥10KW
一、产品概述
1、适用：大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。
2、产品特点/用途：
►设备一体化设计，占地面积小，性价比高，性能稳定，使用维护成本低；
►适用于实验室制备金属单质膜、半导体膜、有机膜，也可用于生产线前期工艺试验等；
►适用于制备光学薄膜、导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜等。
二、技术参数
型号:TEMD500
真空腔室结构:立式圆柱形侧开门结构，后置抽气系统
真空腔室尺寸:Φ500×H650mm
加热温度:室温～300℃
旋转基片台:平板型Φ200mm
膜厚不均匀性:≤±5.0%
考夫曼离子源:可选
蒸发源:电子枪8KW，6穴坩埚 国产进口可选，配3-3组电阻蒸发
控制方式:PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统
占地面积:长×宽 L2500×W1600mm
总功率:≥17KW
一、产品概述
1、适用：大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。
2、产品特点/用途：
► 设备一体化设计，占地面积小，价格优惠，性能稳定，使用维护成本低；
► 设备配备4～6组蒸发源，兼容有机蒸发与无机蒸发，多元共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜，功能强大，性能稳定；
► 适用于实验室制备金属单质膜、半导体膜、有机膜，也可用于生产线前期工艺试验等；
► 适用于蒸发镀膜与手套箱环境有机融合，实现蒸镀、封装、测试等工艺无缝对接，广泛用于钙钛矿太阳能电池/OPV有机太阳能电池及OLED薄膜等研究系统等。
二、技术参数
型号：ZHDS400
镀膜方式：多源蒸发镀膜
真空腔室结构：方箱式前后开门；配置手套箱
真空腔室尺寸：L400×W440×H450mm
加热温度：室温～300℃
旋转基片台：120mm×120mm
基片台升降：手动调节升降高度0～80mm
膜厚不均匀性：≤±5.0%
蒸发源：2组金属源，2～4组有机源
控制方式：PLC/PC自动控制系统可选
占地面积：主机L1100×W780×H1800mm，手套箱尺寸定制
总功率：≥10KW
