本设备的炉管两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室（即收放铜箔的密封装置），收放铜箔的密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮，进料进气真空腔室与炉体之间安装有射频等离子体发生器，出料排气腔体与炉体之间安装有风冷装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点，可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长。

1、该设备炉管可360度旋转，管内壁有石英挡片帮助粉料翻转有助于烧结得更均匀； 2、可左右大角度倾斜，方便出放料，倾斜角度在0~35°之间。 该款设备是全自动Plasma增强CVD系统（PECVD）,系统可以实现连续滑动温区，连续可控温度以及Plasma强度等，配备真空系统，可以实现低压条件下的实验，针对低温石墨烯、碳纳米管生长等。PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。

本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。